Intel vs TSMC｜跳島戰術｜製程研發｜半導體

很久以前，Intel一個製程團隊做新製程、一個設計團隊做新架構，交替上新產品，若干年前TSMC兩個以上製程團隊同時跳島（？）開發新製程，現在，Intel密集的製程Roadmap，也是靠兩個以上製程團隊跳島進行，如果一個製程落後不代表下一個製程必然落後

Meteor Lake

4個die

Foveros 3D packaging tech

1.Compute die：

6大核8小核

Intel 4製程（7nm）比Intel 7同功耗頻率快22%同頻率功耗低40%電晶體密度高2X！

2.GPU die：TSMC 3nm?

3.SOC die：memory controllers and PCIe interfaces

4.I/O die：Thunderbolt and other PCH-types of interfaces

記得以前PCIe to GPU和Memory controller是做在CPU die裡面，忘了是不是今年的Raptor Lake就拉出來了？

Intel Debuts Meteor Lake Die, 'Intel 4' Node: 20% Higher Clocks at Same Power, 2X Area Scaling

上面寫的製程研發跳島戰術（跳蛙戰術？），實在是因為不知道如何稱呼這種現象，才模仿二戰美軍反攻太平洋的用語（也許不是用的很恰當），就是一個團隊研發N製程，同時間，另一個團隊研發N+1製程，然後N製程研發完成交給製造部門，這個團隊就跳下一個N+2研發

下面這篇2022.03的科技新報，Intel自己講到現在有兩個製程技術團隊跳島研發

接下來四世代先進製程是兩個團隊同時進行，之一負責 Intel 4 及改良版 Intel 3 製程，另一個團隊負責 Intel 20A 及 18A 製程

再看看這一篇2016年10月的 ETtoday新聞，TSMC那時說10nm即將（尚未）在1Q17量產，表示10nm還在RD研發部門手上，大概已經完成的差不多了，方法、參數、材料...都定案了，正在轉交給製造部門準備量產，但同時間，劉德音總經理說什麼？

而在先進製程的發展進度上劉德音透漏，除 10 奈米製程將在2017年第1季量產外，7奈米及5奈米製程的投產進度也在規劃當中，甚至更先進的3奈米製程目前也組成了300到400人的研發團隊。

10nm還沒交出去，RD研發部門手上還有7nm和5nm研發之中，而且，還成立了300~400人的團隊，準備研發3nm，所以，上一篇提到Intel有兩個團隊跳島，算算看，TSMC有幾個團隊同時進行研發N、N+1、N+2、......製程節點？

接下來再看看TSMC ANANDTECH 報導 （2022.06.16）

N5有四個版本：N5／N5P／N4P／N4X

N3有五個版本

N3：2H22, Power -25~30%（同速度）、Performance +10~15%（同功耗）、Area（電晶體密度）1.7X

N3E：mid-2023, N3各項製程參數相對狹窄，比較針對特定應用（第一個大客戶？），如果用在其他應用可能降低良率，N3E除了提升Performance和Power之外，也放寬了製程參數的寬容度（process window），讓其他應用良率可以提高，但犧牲了一點Area密度（成本），Power -34%, Performance 18%, Area 1.6X，有點像是N3的通用版本

N3P：2024, P代表performance強化版

N3S：2024, S代表Area電晶體密度強化版（die size成本強化），作者提到N3S並沒有出現在TSMC正式的roadmap簡報上，而是在對話中提到的。

N3X：給不管功耗和成本，就是要最強的Performance的人

有了這以上五個版本，TSMC可以安穩地在2nm GAA完成之前，充分滿足各類客戶。作者提到TSMC還發表了一個秘密武器（Secret Sauce）：FinFlex技術，以往SoC設計者，在一顆晶片、die、block中只能從Cell library中選擇使用一種Standard Cell，有固定的PPA，而FinFlex技術允許IC設計人員，在同一顆chip/die/block中，選用不同的Standard Cell，分別在晶片的不同部分達到Power、Performance、Area的不同最佳化目標

創新還真是不少阿！還不歐印（喂）

當然一定要看競爭對手Intel  ANANDTECH 報導

以前的Tick-Tock指的是:  新製程→新微架構→新製程→新微架構，現在同樣叫Tick-Tock卻不管IC設計部門了，都是講製程：

新主製程→改良／最佳化製程（以前有人叫half-node／shrink）→新主製程→改良製程

例如Intel 4→Intel 3（改良）→Intel 20A→Intel 18A（改良）

以前的Intel可是沒有half-node的，都是主製程:

90nm→65nm→45nm→32nm→22nm→14nm→10nm→7nm

不像foundry們為了延續製程節點的生命以及多樣化，後來的half-node都反而是主流大量市場

90nm→80nm

65nm→55nm

45nm→40nm

32nm→28nm→22nm（TSMC 32nm研發完好像沒量產，到28nm才量產）

22nm→20nm（TSMC直接進20nm）

16/14nm→12nm

10nm→8nm

7nm→6nm 

5nm→4nm

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